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Inventory:2560 Min Order：10
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  • Model：NDS332P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：332
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.035Ω @-1A,-2.7V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4--1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsVery low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.0V. Proprietary package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. Compact industry standard SOT-23 surface Mount package.
描述与应用非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS（TH）<1.0V。 专有包装设计采用铜引线框架的 卓越的热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NDS332P
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