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Inventory:1700 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：NE38018-T1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：V68
  • Package：SOT-343

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		4v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -3v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		40~170ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.1~-1.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation
Description & ApplicationsL to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET •Hetero Junction Field Effect transistor •Super Low noise
描述与应用L到S波段低噪声放大器N沟道HJ-FET •异质结场效应晶体管 •超低噪音

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NE38018-T1
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