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  • Model：NTGS4111PT1G
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：TG
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3.7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		110mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -2.7A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1~-3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & ApplicationsPower MOSFET Features • Leading −30 V Trench Process for Low RDS(on) • Low Profile Package Suitable for Portable Applications • Surface Mount TSOP−6 Package Saves Board Space • Improved Efficiency for Battery Applications • Pb−Free Package is Available Applications • Battery Management and Switching • Load Switching • Battery Protection
描述与应用功率MOSFET 特点 •领导-30 V沟道工艺的低RDS（ON） •薄型封装，适合于便携式应用 •表面贴装TSOP-6封装节省电路板空间 •电池应用的效率的改进 •无铅包装是可用 应用 •电池管理和交换 •负载开关 •电池保护

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NTGS4111PT1G
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