Please log in first
Home
Cart0
Inventory:980 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：P0903BDG
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：P0903BDG
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current50A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance7.5Ω/Ohm @25A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation50W
Description & ApplicationsN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
描述与应用N沟道逻辑电平增强 模式场效应晶体管

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
P0903BDG
*Title：
Message：
*Code：