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  • Model：PHT4NQ10T
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：01+
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4NQ10T
  • Package：SOT-223/SC-73/TO261-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation6.9W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode field-effect transistor N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. TrenchMOS™ technology Very fast switching Surface mount package.
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™1技术。 开关速度非常快 表面贴装封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PHT4NQ10T
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