Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：PMGD8000LN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D8
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		15V
最大漏极电流Id
Drain Current		125mA/0.125A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		13Ω@ VGS =2.5V, ID =1mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.8~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsDual Trench MOS logic level FET Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using Trench MOS technology. Features Trench MOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package Applications Battery management High-speed switch Low power DC-to-DC converter.
描述与应用双沟槽MOS逻辑电平FET 描述 双N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 沟槽MOS的技术。 特点 沟槽MOS技术 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 应用 电池管理 高速开关 低功率的DC-DC转换器。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMGD8000LN
*Title：
Message：
*Code：