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  • Model：RSF014N03
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+PB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PN
  • Package：SOT-323/SC-70/UMT3

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current1.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.24Ω/Ohm @1.4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation800mW/0.8W
Description & Applications4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOSFET Low On-resistance. Space saving, small surface mount package (TUMT3). 4V drive.
描述与应用4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 节省空间，小型表面贴装封装（TUMT3）。 4V驱动器

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RSF014N03
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