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  • Model：SI2304BDT1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4V
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.105Ω/Ohm @2A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.5-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation1.08w
Description & ApplicationsN-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
描述与应用N沟道1.25-W， 2.5 V MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2304BDT1-E3
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