Please log in first
Home
Cart0
Inventory:109 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SI2309DS
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：A9
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.064Ω @-3A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & ApplicationsP-Channel 60-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道60-V（D-S）的MOSFET

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2309DS
*Title：
Message：
*Code：