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  • Model：SI3443DV
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：443
  • Package：SOT-163/SOT23-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		100mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -3.2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4~-1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.6W
Description & ApplicationsP-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET Applications Load switching Battery protection Power management Features Fast switching speed Low gate charge
描述与应用P沟道2.5V额定功率沟道MOSFET 应用 负载开关 电池保护 电源管理 特点 开关速度快 低栅极电荷

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3443DV
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