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  • Model：SST112
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：C2P
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		35v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -35v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		5ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -1~-5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		350mW/0.35W
Description & Applications•N–Channel JFETs •Low On-Resistance: J108 <8 •Fast Switching—tON: 4 ns •Low Leakage: 20 pA •Low Capacitance: 11 pF •Low Insertion Loss
描述与应用•N沟道JFETs •低导通电阻：J108<8 •快速开关吨：4纳秒 •低漏电流：20 pA的 •低电容：11 pF的 •低插入损耗

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SST112
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