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Inventory:1900 Min Order：10
Parameters
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  • Model：TM2301N
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：T21
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.095Ω @-2.8A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & ApplicationsFeatures Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance
描述与应用先进沟道工艺技术 高密度电池设计超低导通电阻

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TM2301N
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