Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK2218-5
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KN
  • Package：SOT-89

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		15v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -15v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		57~75ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.2~2.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		400mW/0.4W
Description & Applications•N-Channel Junction Silicon FET •High-Frequency Low-Noise Amplifier •Adoption of FBET process. •Amateur radio equipment. •UHF amplifiers, MIX, OSC, analog switches.
描述与应用•N沟道结硅FET •高频低噪声放大器 •通过过程FBET。 •业余无线电装备。 •UHF放大器，MIX，OSC，模拟开关。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2218-5
*Title：
Message：
*Code：