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  • Model：2SJ326-Z-E1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+ 05+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：J326
  • Package：TO-252/DPAK

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.28Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.0--2.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		20W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode
描述与应用MOS场效应功率晶体管 开关 P沟道功率MOS FET 工业用途 低通-态电阻 Ciss低 内置G-S门的法律保护二极管

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ326-Z-E1
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