Please log in first
Home
Cart0
Inventory:700 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：PMV45EN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0749NOPB 10+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：W4N
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current5.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsµTrenchMOS™ enhanced logic level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Ultra low level threshold Surface mount package.
描述与应用μTrenchMOS™增强逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 超低水平阈值 表面贴装封装

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMV45EN
*Title：
Message：
*Code：