集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
−500mA/-0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
400MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
75~150 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
−450mV/-0.45V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
High frequency amplifier and switching PNP silicon epitaxial transistor mini mold high fT； complementary to 2SC3739 |
| 描述与应用 |
高频放大器和开关 PNP硅外延晶体管 小型模具 高频率; 2SC3739互补 |