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  • Model：2SK23800R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：EBR
  • Package：SOT-523

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For infrared sensor Features Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For infrared sensor Low gate to source leakage current, IGSS Small capacitance of Ciss, Coss, Crss SS-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用特性 硅N沟道结型场效应管 在低频率的阻抗变换 红外传感器 低栅极，源漏电流，IGSS 小电容Coss，Ciss，Crss SS-迷你型包装，使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK23800R
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