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Inventory:400 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：PMV40UN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09NOPB 09+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：W35
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current4.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation19.6W
Description & ApplicationsTrenchMOS™ ultra low level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology Ultra low level threshold Surface mount package.
描述与应用TrenchMOS™超低水平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 超低水平阈值 表面贴装封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMV40UN
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