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  • Model：2SK1920
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06NOPB
  • Standard Package：700
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K1920
  • Package：TO-252/TP-FA

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance500Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsN-Channel mos silicon FET Very HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features N-Channel MOS silicon FET Very high-speed switching application Low ON resistance Very high-speed switching Low-voltage drive
描述与应用N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 特性 N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1920
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