Please log in first
Home
Cart0
Inventory:8000 Min Order：100
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：UP0487800L
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05NOPB 05NOPB
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：7Y
  • Package：SOT-563

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		7V
最大漏极电流Id
Drain Current		100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		1200mΩ@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.9~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		125mW/0.125W
Description & ApplicationsSilicon N-channel MOSFET For switching ■ Features • Allowing 2.5 V drive • Incorporating a built-in gate protection-diode • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
描述与应用硅N沟道MOSFET 对于开关 ■特点 •允许2.5 V驱动器 •集成了内置栅极保护二极管 •减少安装面积和装配成本的一半

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
UP0487800L
*Title：
Message：
*Code：