| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.07Ω/Ohm @2.5A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.3-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 20W |
| Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS III) Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications Features Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain−source ON-resistance : RDS (ON)= 0.07 Ω (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 60 V) Enhancement mode : Vth = 0.8~2.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型（U-MOS III） 斩波稳压器，DC/ DC转换器和电机驱动应用 特性 斩波稳压器，DC/ DC转换器和电机驱动应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.07Ω（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|= 6.0 S（典型） 低漏电流：IDSS=100μA（最大值）（VDS=60 V） 增强模式：VTH =0.8〜2.0 V（VDS=10V，ID=1mA） |