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Inventory:342000 Min Order：100
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  • Model：MTM86227
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09+NOPB 09+NOPB
  • Standard Package：10000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：JF
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current2.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.105Ω/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation540mW/0.54W
Description & Applications• Avalanche Energy Specified • Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature • Replaces MTD6N10
描述与应用•雪崩能量 •源漏二极管恢复时间等同于 离散快速恢复二极管 •二极管的特点是桥电路中使用 •IDSS和VDS（上） 指定高温 •替换MTD6N10

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MTM86227
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