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Inventory:3800 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI1303DL-T1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06NOPB 06+ROHS3KM
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：LA
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-720mA/-0.72A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.360Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.6--1.4V
耗散功率Pd
Power Dissipation		340mW/0.34W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFETs • 2.5 V Rated
描述与应用功率MOSFET •2.5 V额定

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1303DL-T1
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