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Inventory:6050 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：2SK662
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：10R
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		4~12ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.1~-1.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •High mutual conductance gm •Low noise type
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •高互导GM •低噪音型

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK662
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