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Inventory:2000 Min Order：10
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  • Model：2SJ133-Z-E1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+NOPB2KM
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：J133
  • Package：TO-252/DPAK

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.45Ω -1A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.0--3.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		20W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR P-CHANNEL POWER MOSFET FOR SWITCHING Gate drive available at logic level (VGS = −4 V) High current control available in small dimension due to low RDS(on) (≅ 0.45 Ω) 2SJ133-Z is a lead process product and is ideal for mounting a hybrid IC
描述与应用MOS场效应功率晶体管 P沟道功率MOSFET 用于开关 栅极驱动逻辑电平（VGS=-4 V） 高电流控制由于在小尺寸，低RDS（on）（≅0.45Ω） 2SJ133-Z是一款铅工艺产品，非常适合安装一个混合IC

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ133-Z-E1
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