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Inventory:2900 Min Order：10
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  • Model：CPH6615
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WB
  • Package：SOT-163/SOT23-6/CPH6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V/-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		2.5A/-1.8A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		210mΩ@ VGS = 1V,ID =4A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1.2~2.6V
耗散功率Pd
Power Dissipation		900mW/0.9W
Description & ApplicationsN-Channel and P-Channel Silicon MOSFETS General-Purpose Switching Device Applications Features • The CPH6614 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance, Ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. • Excellent ON-resistance characteristic. • Best suited for load switches. • 4V drive.
描述与应用N沟道和P沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 •CPH6614采用了N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，具有低导通电阻， 超高速开关，从而实现高密度安装。 •优秀的导通电阻特性。 •最适合用于负载开关。 •4V驱动器。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
CPH6615
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