集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 500V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 400V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 300mA/0.3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 20MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV~750mV |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | 400 V, 0.3 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features Low current (max. 300 mA) High voltage (max. 400 V) AEC-Q101 qualified Applications LED driver for LED chain module LCD backlighting High Intensity Discharge (HID) front lighting Automotive motor management Hook switch for wired telecom Switch mode power supply |
| 描述与应用 | 400 V，0.3 A NPN高电压低VCEsat（BISS）晶体管 一般说明 NPN高电压低VCEsat 在小信号（BISS）晶体管的突破 SOT23（TO-236AB）小型表面贴装器件（SMD）塑料包装。 特点 低电流（最大300毫安） 高电压（最大400 V） AEC-Q101资格 应用 LED链模块的LED驱动器 LCD背光 高强度气体放电灯（HID）前灯 汽车电机管理 挂钩开关的有线电信 开关模式电源 |