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Inventory:200000 Min Order：10
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  • Model：SSM6P41FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS 10+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PP3
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-720mA/-0.72A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		300mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -400mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.3~-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ○ Power Management Switches • 1.5-V drive • Low ON-resistance : Ron = 1.04 Ω (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 0.67 Ω (max) (@VGS = -1.8 V) : Ron = 0.44 Ω (max) (@VGS = -2.5 V) : Ron = 0.30 Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ○电源管理开关 •1.5-V驱动器 •低导通电阻：RON= 1.04Ω（最大值）（@ VGS=-1.5 V） ：RON =0.67Ω（最大）（@ VGS=-1.8 V） ：RON =0.44Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V） ：RON =0.30Ω（最大）（@ VGS=-4.5 V）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6P41FE
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