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Inventory:5833 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：3HN04MH
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：LZ
  • Package：SOT-323/SC-70

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.66Ω/Ohm @150mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.2-2.6V
耗散功率Pd Power Dissipation600mW/0.6W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features Silicon N-Channel MOS FET General-Purpose Switching Device Applications 4V drive
描述与应用N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特性 硅N沟道MOS FET 通用开关设备应用 4V驱动

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3HN04MH
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