集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 200mA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 250Mhz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 100~300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | |
| Description & Applications | Epitaxial planar die construction -As complementary type,the PNP Q172transistor MMBT3906-G is recommended |
| 描述与应用 | 外延平面模施工 作为互补型，PNP 建议晶体管MMBT3906-G |