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  • Model：SI1300BDL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10NOPB 10NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：REZ
  • Package：SOT-323/SC-70

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-Channel 20-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested
描述与应用N沟道20-V（D-S）的MOSFET TrenchFET？功率MOSFET 100％的Rg测试

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1300BDL
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