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Inventory:1990 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI2303CDS
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10NOPB 09NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：N3
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.156Ω @-1.9A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1--3.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2.3W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFET • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested
描述与应用 Power MOSFET • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2303CDS
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