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  • Model：74LVC1G10GW
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0930NOPB 09NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：YM
  • Package：SOT-363/TSSOP6/SC88

逻辑类型
Logic Type		与非门 NAND Gate
电路数
Number of Circuits		1
输入数
Number of Inputs		3
电源电压Vcc
Voltage - Supply		1.65V~5.5V
静态电流Iq
Current - Quiescent (Max)		200uA
输出高，低电平电流
Current - Output High, Low		-32mA，32mA
低逻辑电平
Logic Level - Low		0.7V~0.8V
高逻辑电平
Logic Level - High		1.7V~2V
传播延迟时间@Vcc，CL
Max Propagation Delay @ V, Max CL		1.9ns @ 5V，50pF
Description & ApplicationsSingle 3-input NAND gate；FEATURES Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V High noise immunity Complies with JEDEC standard: JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V) JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V) JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V) ±24 mA output drive (VCC = 3.0 V) CMOS low power consumption Latch-up performance ≤250 mA Direct interface with TTL levels Inputs accept voltages up to 5 V ESD protection: HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V MM JESD22-A115-A exceeds 200 V Multiple package options Specified from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C
描述与应用单3输入与非门；特性 从1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围 高抗干扰 符合JEDEC标准： JESD8-7（1.65 V至1.95 V） JESD8-5（2.3 V到2.7 V） JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V） ±24 mA输出驱动器（VCC=3.0 V） CMOS低功耗 闭锁性能≤250毫安 直接接口TTL水平 接受输入电压高达5 V ESD保护： HBM JESD22-A114F超过2000 V MM JESD22-A115-A超过200 V 多种封装选项 从-40°C至+85°C和-40°C至+125°C

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
74LVC1G10GW
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