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Inventory:314100 Min Order：10
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  • Model：SSM3K116TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KK9
  • Package：SOT-323/SC-70/USM

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current2.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.1Ω/Ohm @500mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation800mW/0.8W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications • 2.5V drive • Low on-resistance: Ron = 135mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 100mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 •2.5V驱动 •低导通电阻RON =135mΩ（最大）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM3K116TU
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