Please log in first
Home
Cart0
Inventory:66000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SSM6N17FU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09/12+NOPB 12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DM
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		7V
最大漏极电流Id
Drain Current		100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		20Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.9~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications ●Suitable for high-density mounting due to compact package ●High drain-source voltage ●High speed switching
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 ●适用于高密度安装由于紧凑的封装 ●高的漏源电压 ●高速开关

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N17FU
*Title：
Message：
*Code：