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Inventory:12000 Min Order：10
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  • Model：2SK3064GOLSO
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：2D
  • Package：SOT-323/SC-70

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance30Ω/Ohm @10mA,5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET Secondary battery pack (Li ion battery, etc.) For switching Features Silicon N-Channel MOS FET Secondary battery pack (Li ion battery, etc.) For switching High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. Low-voltage drive (Vth: −1 to 2V) Low Ron
描述与应用硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET 对于开关的二次电池（锂离子电池等） 特性 硅N沟道MOS FET 二次电池（锂离子电池等） 用于开关 高速开关 S-迷你型包装，使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装。 低电压驱动（VTH：-1至2V） 低Ron

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3064GOLSO
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