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Inventory:95900 Min Order：10
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  • Model：SI3456CDV-T1-GE3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：AP
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current7.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.034Ω/Ohm @6.1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.2-3V
耗散功率Pd Power Dissipation3.3W
Description & ApplicationsN沟道30-V（D-S）的MOSFET FEATURES • TrenchFET Power MOSFET
描述与应用 N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3456CDV-T1-GE3
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