集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 82~180 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −150mV/-0.15V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Power Transistor (−50V, −3A) Features 1) Low saturation voltage. VCE (sat) = −0.35V (Max.) at IC / IB = −1A / −50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SC4672. |
| 描述与应用 | 功率晶体管（-50V，-3A） 特点 1）低饱和电压。 VCE（sat）=-0.35V（最大）在IC/ IB=-1A/-50mA的。 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SC4672。 |