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Inventory:37300 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI3433DV-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+nopb 05+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：3A
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		80mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.1W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3433DV-T1-E3
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