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Inventory:2454940 Min Order：10
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  • Model：SI4800BDY-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS 10+ROHS
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4800B
  • Package：8-SOIC

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30v
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 25v
最大漏极电流Id Drain Current 9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.0185Ω/Ohm @9A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications N-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET Power MOSFET • High-Efficient PWM Optimized • 100 % UIS and Rg Tested
描述与应用 N沟道减少QG 快速开关MOSFET •根据IEC 61249-2-21的无卤素可用的 •的TrenchFET 功率MOSFET •高效率的PWM优化 •100％的研究所和Rg测试

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI4800BDY-T1-E3
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