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Inventory:54000 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI3433CDV-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10NOPB 10+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：AX
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-6A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.031Ω @-5.2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4V-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		3.3W
Description & ApplicationsFEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用功率MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3433CDV-T1-E3
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