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Inventory:47900 Min Order：10
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  • Model：TBB1012MMTL-E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：MM
  • Package：SOT-363/SC70-6/CMPAK-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		6V/6V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		6V/6V
最大漏极电流Id
Drain Current		20mA/21mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		mΩ@ VGS = -V, ID = -mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		V
耗散功率Pd
Power Dissipation		250mW/0.25W
Description & ApplicationsTwin Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier Features • Small SMD package CMPAK-6 built in twin BBFET; To reduce using parts cost & PC board space. • Very useful for total tuner cost reduction. • Suitable for World Standard Tuner RF amplifier. • High gain • Low noise • Low output capacitance • Power supply voltage: 5 V
描述与应用双床内置偏置电路MOS FET的IC UHF/ VHF射频放大器 特点 •小SMD封装CMPAK-6内置双BBFET;要降低零部件的成本与PC板空间。 •总的调谐器成本降低非常有用的。 •适用于世界标准调谐器RF放大器。 •高增益 •低噪音 •低输出电容 •电源电压：5 V

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TBB1012MMTL-E
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