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Inventory:2770 Min Order：10
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  • Model：BFG10/X
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+rohs
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：N7
  • Package：SOT-143

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		8V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		250mA/0.25A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		25
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc
Power Dissipation		400mW/0.4W
Description & ApplicationsNPN 2 GHz RF power transistor FEATURES • High power gain • High efficiency • Small size discrete power amplifier • 1.9 GHz operating area • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS • Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment at 1.9 GHz. DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.
描述与应用2 GHz的RF功率晶体管NPN 特点 •高功率增益 •高效率 •小尺寸离散功率放大器 •1.9 GHz工作区 •黄金金属确保 出色的可靠性。 应用 •共发射极AB类 手持对讲机的操作 设备在1.9 GHz。 说明 NPN硅平面外延晶体管 封装在塑料中，4 - 针 双射SOT143封装。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BFG10/X
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