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Inventory:1588 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI2307DS-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：A7
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.064Ω @-3A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & ApplicationsP-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道30-V（D-S）的MOSFET

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2307DS-T1-E3
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