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Inventory:300000 Min Order：10
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  • Model：SSM6P16FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 11+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DT
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		8Ω@ VGS = -4V, ID = -10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.6~-1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low on-resistance : Ron = 8 Ω (max) (@VGS = −4 V) : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) : Ron = 45 Ω (max) (@VGS = −1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻：RON= 8Ω（最大）（@ VGS=-4 V） ：R0N= 12Ω（最大）（@ VGS= -2.5 V） ：R0N上= 45Ω（最大值）（@ VGS=-1.5 V）

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6P16FE
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