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Inventory:3000 Min Order：100
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  • Model：2SK3973G
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08+
  • Standard Package：10000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：5V
  • Package：sot-723

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.03Ω/Ohm @10mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSilicon MOSFETs (Small Signal) Silicon N-channel MOSFET For switching circuits Features N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING High-speed switching SSS Mini type package, allowing downsizing of the equipment and SSSMini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing
描述与应用硅MOSFET（小信号） 硅N沟道MOSFET开关电路 特性 N沟道MOS FET高速开关 高速开关 SSS迷你型包装，允许缩编的设备和SSSMini型封装，允许精简的设备和通过自动插入磁带包装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3973G
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