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  • Model：SSM5P15FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DQ
  • Package：SOT-553/ESV

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		3200mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.1~-1.7V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low ON resistance
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM5P15FE
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