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Inventory:10600 Min Order：10
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  • Model：2SD1781KPT
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+PB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D9C
  • Package：SOT-23

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 32V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 800mA/0.8A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 150MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 82~180
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 100mV/0.1V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 200mW/0.2W
Description & Applications Features * Very Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.1V(Typ.) （IC / IB= 500ｍA / 50mA） * High current capacity in compact package. * Complements the 2SB1197K. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用 特点 *非常低VCE（SAT）。 VCE（饱和）=-0.1V （IC / IB=500mA的/50MA） *高电流容量，在紧凑的封装。 *补充2SB1197K。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD1781KPT
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