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Inventory:57000 Min Order：10
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  • Model：SIB911DK-T1-GE3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DAW
  • Package：SC75-6L

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.6A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		560mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -180mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4~-1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		3.1W
Description & ApplicationsDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 • Trench FET Power MOSFET • New Thermally Enhanced Power PAK SC-70 Package - Small Footprint Area APPLICATIONS • Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable Devices
描述与应用双P沟道12-V（D-S）的MOSFET 特点  •根据IEC 61249-2-21的无卤素  •沟槽FET功率MOSFET  •新的耐热增强型电源PAK SC-70封装 - 小占位面积 应用  •负荷开关，PA，用于便携式设备的开关和电池开关

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SIB911DK-T1-GE3
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