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Inventory:2000 Min Order：100
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  • Model：RUM002N02G
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 05+
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：QR
  • Package：sot-723

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±8V
最大漏极电流Id Drain Current 200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 4.8Ω ID=20mA, VGS=1.2V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.3V~1V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications * Silicon N-channel MOSFET 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple.
描述与应用 *硅N沟道MOSFET 1）快速开关速度。 2）低电压驱动（1.2V），使得该器件用于便携式设备的理想选择。 3）驱动电路可以很简单。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RUM002N02G
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